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产品展示
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  • 名称:CM400DX-24S1
  • 进口原装三菱IGBT模块 CM400DX-24S1 KUX
  • 产品详细说明

    三菱CM450DX-24S1与英飞凌FF450R12ME4比对

    CM450DX-24S1为三菱6.1代NX系列450A/1200V IGBT模块,主要应用在100KW光伏逆变器,电机驱动,电源等领域,CM450DX-24S1性能特点如下:
    (1)采用第6代IGBT硅片技术(CSTBT),实现更低损耗;
    (2)硅片结温可高达175℃;
    (3)硅片运行温度最高可达150℃;
    (4)封装与三菱第6代CM450DX-24S及英飞凌FF450R12ME4兼容,且有性价比优势;
    (5)内部集成NTC测温电阻;
    (6)VisoI = 4000Vrms,其他对应的型号绝缘耐压为2500Vrms;
    (7)低损耗,低EMI噪声,高可靠性,高运行结温;
    (8)该系列不同容量模块(CM225DX-24S1,CM300DX-24S1,CM600DX-24S1)封装相同。
    CM450DX-24S1,CM450DX-24S及FF450R12ME4封装形式如下图:
    CM450DX-24S1,CM450DX-24S及FF450R12ME4封装形式
    CM450DX-24S1,CM450DX-24S以及FF450R12ME4 450/1200V产品性能对比如下,分别对静态特性及开关特性进行详细说明,由下面的分析可以得出CM450DX-24S1的整体性能与FF450R12ME4趋势接近,参数指标更有优势。
    1.静态特性对比
    CM450DX-24S1 CM450DX-24S FF450R12ME4 备注
    Ic 450A
    (Tc=107°C)
    450A
    (Tc=119°C)
    450A
    (Tc=100°C)
    集电极直流电流能力
    CM450DX-24S最强
    Ptot 2775W 3405W 2250W 最大允许功耗:
    Ptot(Tc)=(Tvj-Tc)/Rthjc
    VISOL 4000V 2500V 2500V CM450DX-24S1绝缘耐压最高
    VCEsat 1.7V 1.7V 1.75V FF450R12ME4饱和压降
    在相同条件下最高,通态损耗大
    450A/1200V产品静态特性对比见下图:
    6.1th:CM450DX-24S1,6th: CM450DX-24S,竞争对手A: FF450R12ME4
    测试条件: Vge=+15V, Tj=125℃
     
    IGBT模块静态特性
    由上图可看出在某一集电极工作电流下,6.1代的CM450DX-24S1的饱和压降与CM450DX-24S一致,比FF450R12ME4略低,从而通态损耗更低。CM450DX-24S1的二极管采用更快恢复特性二极管,反向恢复损耗低,通态压降稍高。

    三菱CM450DX-24S1与英飞凌FF450R12ME4比对(2)


    2.开关特性对比
    CM450DX-24S1 CM450DX-24S FF450R12ME4 备注
    Cres/
    Cies
    0.75nF(MAX)/
    45nF(MAX)
    0.75nF(MAX)/
    45nF(MAX)
    1.55nF(TYP)/
    28nF(TYP)
    FF450R12ME4的密勒电容及
    与输入电容的比值最大,
    容易形成集电极dv/dt反馈造成寄生
    导通,Cres/Cies应该越小越好
    QG 953nC 1050nC 3.3uC FF450R12ME4需要的门极驱动
    电荷最多,驱动电流及功耗最高
    Eon 35.8mJ 54.9mJ 28.5mJ CM450DX-24S开通损耗最高
    Eoff 52.4mJ 48.0mJ 61.5mJ FF450R12ME4关断损耗最高
    Err 27.9mJ 32.4mJ 55mJ FF450R12ME4二极管
    反向恢复损耗最高
    Rth(j-c)
    IGBT
    54K/KW 44K/KW 66K/KW FF450R12ME4 IGBT结到壳热阻
    最大,结壳温差大,不利于散热
    Rth(j-c)
    Diode
    86K/KW 78K/KW 100K/KW FF450R12ME4 二极管结到壳热阻
    最大,结壳温差大,不利于散热
    450A/1200V产品开关特性对比如下图:
    6.1th:CM450DX-24S1,6th: CM450DX-24S,竞争对手A: FF450R12ME4
    IGBT模块开关特性
    由上图曲线可看出CM450DX-24S1的通态损耗、反向恢复损耗最低,关断损耗介于两者之间。
    450A/1200V产品开关波形对比(CM450DX-24S vs CM450DX-24S1)
    测试条件: Vcc = 600V, Ic = 450A, VGE = +15/-15V, RG = 0ohm, Tj = 150℃
    IGBT通态损耗关断损耗曲线
     450A/1200V产品二极管反向恢复波形对比见下图 (6th vs 6.1th):
    测试条件: Vcc = 600V, Ic = 450A, VGE = +15/-15V, RG = 0ohm, Tj = 150℃
    二极管反向恢复波形对比
    450A/1200V IGBT模块功率损耗及结温对比见下图:
    6.1th:CM450DX-24S1,6th: CM450DX-24S,竞争对手A: FF450R12ME4
    Vcc=600V, Io=225Ap, fc=5kHz, P.F=0.8, M=1.0, fo=60Hz, Tjmax=125℃, Ts=90℃
    IGBT模块功率损耗及结温对比
    由上图可以得出三菱6.1代CM450DX-24S1的整体损耗最低。
    综上,CM450DX-24S1相对于其他两种,综合性能最优,在现有的系统中无需对结构进行调整即可与其他型号进行替换使用。
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